4 Inch SIO2 silicon dioxide wafer / Resistivity 0.01-0.02 ohms * cm Double oxygen/Silicon thickness 525um Обустройство дома - купить
Специальная цена от 6 414,72 руб.*
Категория товара: Фланцы
История изменения цены
*Внимание! Указанная цена 6 414,72 руб. уже могла изменится, перед тем как купить данный товар перейдите на страницу продавца и проверьте актуальную стоимость.
| Месяц | Мин. | Макс. | Цена |
|---|---|---|---|
| 13.06.2026 | 7633.4 | 8015.58 | 7824 руб. |
| 13.05.2026 | 7569.58 | 7947.3 | 7758 руб. |
| 13.04.2026 | 6350.56 | 6668.49 | 6509 руб. |
| 13.03.2026 | 7440.81 | 7812.79 | 7626 руб. |
| 13.02.2026 | 6478.29 | 6802.64 | 6640 руб. |
| 13.01.2026 | 7312.24 | 7678.77 | 7495 руб. |
| 13.12.2025 | 7248.71 | 7610.67 | 7429 руб. |
| 13.11.2025 | 7184.82 | 7543.97 | 7363.5 руб. |
| 13.10.2025 | 7120.47 | 7476.39 | 7298 руб. |
Купить 4 Inch SIO2 silicon dioxide wafer / Resistivity 0.01-0.02 ohms * cm Double oxygen/Silicon thickness 525um | Обустройство дома





Product Specification:
1 Material: High purity silicon 2 Size: 4 inches 3 Diameter and tolerance: 100 ± 0.4mm 4 Thickness: 500um 5 Oxide thickness: 500nm 6 Model : P 7 Specifications: Double oxygen 8: Resistivity 0.01-0.02 Omega / cm 9 Crystal direction: < 100 > 10 Polishing: Silicon dioxide 11 Main applications: PVD / CVD coating, magnetron sputtering, XRD, SEM, sample atomic force growth, infrared spectroscopy, fluorescence spectroscopy, substrate, substrate, molecular beam epitaxial growth of semiconductor crystal X Ray analysis.







Отзывы о 4 Inch SIO2 silicon dioxide wafer / Resistivity 0.01-0.02 ohms * cm Double oxygen/Silicon thickness 525um Обустройство дома
Здесь вы можете оставить свой отзыв о данном товаре.
Отзывы ( 0 )
Сначала новые
Сначала старые
Сначала лучшие
Отправить
Загрузить
Ссылка
Сообщение:
Загрузить
Ссылка
ССЫЛКА НА ИЗОБРАЖЕНИЕ
Загружено по ссылке
